مصنوعات

سطحن تي سون جي نانو ذرات جي ٺهڻ کي پولي (ڊيميٿيلسلوڪسين) (PDMS) فلمن جي انڪيوبيشن ذريعي مڪمل ڪيو ويو آهي tetrachloroauric (III) ايسڊ ۽ chitosan محلول ۾ ڪمري جي گرمي پد ۽ 4 ڊگري سينٽي گريڊ تي. PDMS سطح تي واقع ٿيو.اهي مشاهدا حل ۾ رد عمل کان بلڪل مختلف آهن، جنهن ۾ ڪمري جي گرمي پد تي ڪو به ذرڙو ٺاهي نٿو سگهجي.Mie نظريي جي بنياد تي سطحي پلازمون بئنڊز (SPBs) جي ڳڻپ مان معلوم ٿئي ٿو ته ذرات جزوي طور چيٽوسن ماليڪيولز سان گڏ ٿيل آهن، ۽ تجرباتي نتيجا نظرياتي حسابن جي تصديق ڪن ٿا.تجويز ڪيل ميڪانيزم اهو آهي ته PDMS سطحن تي جذب ٿيل يا پرنٽ ٿيل چيٽوسن ماليڪيولز کي گهٽائڻ / مستحڪم ايجنٽ طور ڪم ڪن ٿا.ان کان علاوه، پي ڊي ايم ايس فلمون chitosan سان نموني سان ٺهيل علائقن ۾ سون جي نانو ذرات جي مقامي ٺهڪندڙ کي صرف چيتوسن سان ڍڪيل آهن.اهڙيءَ طرح، ذرڙن جي ٺهڻ سان گڏ اعليٰ اسپا ٽائل سليڪٽيٽي سان سطحن تي ڪولائيڊل نمونا ٺاهيا ويا.مٿاڇري-حوصلہ افزائي فلورسنس quenching علائقن ۾ پڻ ڏٺو ويو سون جي نانو ذرڙن سان ڍڪيل.